DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM为16,384位、全静态NV SRAM，按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。 NV SRAM可以用来直接替代现有的2k x 8 SRAM，符合通用的单字节宽、24引脚DIP标准。器件还与2716 EPROM及2816 EEPROM的引脚排列匹配，可直接替换并增强其性能。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

• MAX999 - 单/双/四路、超高速、+3V/+5V、超摆幅比较器
• MAX4739 - 4.5Ω、四路SPST模拟开关，UCSP封装
• MAX1204 - 5V、8通道、串行、10位ADC，3V数字接口
• MAX324 - 高精度、单电源、SPST模拟开关
• DG419 - 改进的SPST/SPDT模拟开关
• MAX1960 - 2.35V至5.5V、0.5%精度、1MHz PWM降压型控制器，带有电压裕量控制
• MAX19996A - SiGe、高线性度、2000MHz至3900MHz下变频混频器，带有LO缓冲器
• MAX1464 - 低功耗、低噪声、多路传感器信号处理器
• MAX6166 - 高精度、微功耗、低压差、高输出电流、SO-8封装电压基准
• MAX4511 - 四路、满摆幅、故障保护、SPST模拟开关