DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。此外，DS1330器件具有监视VCC状态和内部锂电池状态的专用电路。PowerCap模块封装的DS1330器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。可用来替代32k x 8 SRAM、EEPROM或闪存器件。

• MAX1324 - 8/4/2通道、14位、同时采样ADC，提供±10V、±5V或0至+5V模拟输入范围
• MAX4889A - 5.0Gbps PCI Express无源开关
• MAX4644 - 高速、低电压、4Ω、双路、SPDT CMOS模拟开关
• MAX5862 - 高密度下行电缆QAM调制器
• MAX5190 - 8位、40MHz、电流/电压输出DAC
• MAX5418 - 256抽头、非易失、 I²C接口数字电位器
• MAX4236 - SOT23封装、甚高精密、3V/5V、满摆幅运算放大器
• MAX1198 - 双路、8位、100Msps、3.3V、低功耗ADC，内置电压基准及并行输出
• MAX16819 - 2MHz、高亮度LED驱动器，具有高边电流检测和5000:1调光范围
• MAX6150 - SOT23封装、低成本、低压差、三端电压基准