MAX5079 “或”逻辑MOSFET控制器用于在在高可靠性冗余、并联电源中可替代“或”逻辑二极管。“或”逻辑肖特基二极管尽管具有较低前向压降，但在大电流情况下功耗较大。MAX5079可使用低导通电阻的n沟道功率MOSFET来替代肖特基二极管，从而在大功率应用中，实现更低功耗、更小尺寸，而且不需要热沉。

MAX5079采用2.75V至13.2V电源供电，内置电荷泵驱动高端n沟道MOSFET。提供至少2.75V的辅助电压时，器件最低可在1V下工作。控制器检测到IN和BUS间出现正压差时，启动n沟道MOSFET。一旦MAX5079检测到IN相对于BUS压差为负，MOSFET将被关断，正压差恢复后，自动重新打开。故障状态下，1A的“或”逻辑MOSFET栅极下拉电流可提供200ns超快速关断。反向电压关断阈值可由外部设置，以避免电源热拔插在IN或BUS上产生干扰脉冲，导致“或”逻辑MOSFET被无意关断。

其他特性包括，OVP标志便于在过压时关断失效电源，PGOOD信号用于指示VIN低于欠压锁定或VBUS过压。MAX5079工作在-40°C至+85°C温度范围内，可提供节省空间的14引脚TSSOP封装。

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