
DS1220AB技术文档下载:
DS1220AB - 典型电路框图:

Maxim美信半导体芯片:
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- MAX4717EUB+ - 集成电路(IC) > 接口 > 模拟开关,多路复用器,解复用器
- MAX8668ETEQ+T - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - 线性 + 开关
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DS1220AB - 16k非易失SRAM
DS1220AB是Maxim美信半导体公司的一款1-Wire器件产品,DS1220AB是16k非易失SRAM,本站介绍了DS1220AB的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与DS1220AB相关的Maxim元器件型号供参考。
DS1220AB - 16k非易失SRAM - 1-Wire器件 - Maxim美信半导体高性能芯片品质 - 美信半导体
产品概述
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM为16,384位、全静态NV SRAM,按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。 NV SRAM可以用来直接替代现有的2k x 8 SRAM,符合通用的单字节宽、24引脚DIP标准。器件还与2716 EPROM及2816 EEPROM的引脚排列匹配,可直接替换并增强其性能。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
关键特性
热门应用
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