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DS1245Y - 典型电路框图：
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DS1245Y - 1024k非易失SRAM
DS1245Y是Maxim美信半导体公司的一款1-Wire器件产品，DS1245Y是1024k非易失SRAM，本站介绍了DS1245Y的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与DS1245Y相关的Maxim元器件型号供参考。
DS1245Y - 1024k非易失SRAM - 1-Wire器件 - Maxim美信半导体高性能芯片品质 - 美信半导体
产品概述
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、完全静态的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1245器件可以用来替代现有的128k x 8静态RAM，符合通用的单字节宽、32引脚DIP标准。PowerCap模块封装的DS1245器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
关键特性
热门应用
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