
DS1245Y技术文档下载:
DS1245Y - 典型电路框图:

Maxim美信半导体芯片:
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- MAX7418EUA+T - 集成电路(IC) > 接口 > 滤波器 - 有源
- MAX8530EBTJJ+T - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - 线性
- MAX4211EETE-T - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电流调节/管理
- MAX17231ETLS+ - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > DC-DC 开关控制器
- DS1554WP-120 - 集成电路(IC) > 时钟/定时 > 实时时钟
- MAX5052BEUA-T - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > AC DC 转换器,离线开关
- DG508AAK/883B - 集成电路(IC) > 接口 > 模拟开关,多路复用器,解复用器
- MAX8742EAI+ - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 特殊用途稳压器
- MAX9725BETC+T - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 音频放大器
- DS1312S+T&R - 集成电路(IC) > 存储器 > 控制器
- 5962-9073101MEA - 集成电路(IC) > 接口 > 模拟开关,多路复用器,解复用器



DS1245Y - 1024k非易失SRAM
DS1245Y是Maxim美信半导体公司的一款1-Wire器件产品,DS1245Y是1024k非易失SRAM,本站介绍了DS1245Y的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与DS1245Y相关的Maxim元器件型号供参考。
DS1245Y - 1024k非易失SRAM - 1-Wire器件 - Maxim美信半导体高性能芯片品质 - 美信半导体
产品概述
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、完全静态的非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1245器件可以用来替代现有的128k x 8静态RAM,符合通用的单字节宽、32引脚DIP标准。PowerCap模块封装的DS1245器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
关键特性
热门应用
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