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DS1249Y - 典型电路框图:

Maxim美信半导体芯片:
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DS1249Y - 2048k非易失SRAM
DS1249Y是Maxim美信半导体公司的一款1-Wire器件产品,DS1249Y是2048k非易失SRAM,本站介绍了DS1249Y的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与DS1249Y相关的Maxim元器件型号供参考。
DS1249Y - 2048k非易失SRAM - 1-Wire器件 - Maxim美信半导体高性能芯片品质 - 美信半导体
产品概述
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM,按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
关键特性
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