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DS1345Y - 典型电路框图:

Maxim美信半导体芯片:
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DS1345Y - 1024k非易失SRAM,带有电池监测器
DS1345Y是Maxim美信半导体公司的一款1-Wire器件产品,DS1345Y是1024k非易失SRAM,带有电池监测器,本站介绍了DS1345Y的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与DS1345Y相关的Maxim元器件型号供参考。
DS1345Y - 1024k非易失SRAM,带有电池监测器 - 1-Wire器件 - Maxim美信半导体高性能芯片品质 - 美信半导体
产品概述
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。此外,DS1345器件具有监视VCC状态和内部锂电池状态的专用电路。PowerCap模块封装的DS1345器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。可用来替代128k x 8 SRAM、EEPROM或闪存器件。
关键特性
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