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DS1350AB技术文档下载：
DS1350AB - 典型电路框图：
DS1350AB - 4096k非易失SRAM，带有电池监测器
DS1350AB是Maxim美信半导体公司的一款1-Wire器件产品，DS1350AB是4096k非易失SRAM，带有电池监测器，本站介绍了DS1350AB的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与DS1350AB相关的Maxim元器件型号供参考。
DS1350AB - 4096k非易失SRAM，带有电池监测器 - 1-Wire器件 - Maxim美信半导体高性能芯片品质 - 美信半导体
产品概述
DS1350 4096k非易失(NV) SRAM为4,194,304位、全静态NV SRAM，按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。此外，DS1350器件具有监视VCC状态和内部锂电池状态的专用电路。PowerCap模块封装的DS1350器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。可用来替代512k x 8 SRAM、EEPROM或闪存器件。
关键特性
热门应用
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