DS1225AB及DS1225AD为65,536位、全静态非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。NV SRAM可以用来直接替代现有的8k x 8 SRAM，符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。这些器件还与2764 EPROM及2864 EEPROM的引脚排列匹配，可直接替换并增强其性能。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

• MAX1278 - 1.8Msps、单电源、低功耗、真差分、12位ADC，内置电压基准
• MAX3061E - ±15kV ESD保护、失效保护、20Mbps、限摆率RS-485/RS-422收发器，SOT封装
• MAX3284E - ±15kV ESD保护、52Mbps、3V至5.5V、SOT23封装、RS-485/RS-422真失效保护接收器
• DS3906 - 三路、非易失、小步长调节可变电阻与存储器
• MAX9645 - 带有精密基准的低功耗比较器，4焊球UCSP封装
• MAX1758 - 独立的开关模式Li+电池充电器，内置28V开关
• MAX6772 - 用于汽车电子的微功耗线性稳压器，带有监控电路
• MAX6950 - 串行接口、+2.7V至+5.5V、5位或8位LED显示驱动器
• MAX11121 - 1Msps、低功耗、12/10/8位、4/8/16通道串行ADC
• MAX31820PAR - 1-Wire Parasite-Power, Ambient Temperature Sensor