DS1230 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1230器件可以用来替代现有的32k x 8静态RAM，符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。DIP器件还与28256 EEPROM的引脚匹配，可直接替换并增强其性能。小尺寸模块封装的DS1230器件专为表面贴装应用设计。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

• DG309 - 四路SPST模拟开关
• MAX6722A - 双/三路、超低电压、SOT23封装、微处理器监控电路
• MAX1058 - 10位、多通道ADC/DAC，带有FIFO、温度传感器和GPIO端口
• MAX3097E - ±15kV ESD保护、32Mbps、3V/5V、三路RS-422/RS-485接收器，带有故障检测
• MAX4917B - 100mA/200mA/300mA限流开关，具有较低的关断反向电流
• MAX5868 - 16-Bit, 5Gsps Interpolating and Modulating RF DAC
• MAX5403 - 双路、256抽头、低漂移、数字电位器，10引脚µMAX封装
• MAX14757 - 四通道、+70V SPST模拟开关
• MAX17531 - 42V、50mA、超小、高效、同步降压型DC-DC转换器，空载耗流仅为22µA
• MAX4541 - 低电压、单电源、双路、SPST/SPDT模拟开关