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DS1230AB - 典型电路框图：
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DS1230AB - 256k非易失SRAM
DS1230AB是Maxim美信半导体公司的一款1-Wire器件产品，DS1230AB是256k非易失SRAM，本站介绍了DS1230AB的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与DS1230AB相关的Maxim元器件型号供参考。
DS1230AB - 256k非易失SRAM - 1-Wire器件 - Maxim美信半导体高性能芯片品质 - 美信半导体
产品概述
DS1230 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1230器件可以用来替代现有的32k x 8静态RAM，符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。DIP器件还与28256 EEPROM的引脚匹配，可直接替换并增强其性能。小尺寸模块封装的DS1230器件专为表面贴装应用设计。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
关键特性
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