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DS1230W - 典型电路框图:

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DS1230W - 3.3V、256k非易失SRAM
DS1230W是Maxim美信半导体公司的一款1-Wire器件产品,DS1230W是3.3V、256k非易失SRAM,本站介绍了DS1230W的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与DS1230W相关的Maxim元器件型号供参考。
DS1230W - 3.3V、256k非易失SRAM - 1-Wire器件 - Maxim美信半导体高性能芯片品质 - 美信半导体
产品概述
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电,写保护将无条件使能、以防数据被破坏。 DIP封装的DS1230W器件可以用来替代现有的32k x 8静态RAM,符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。DIP器件还与28256 EEPROM的引脚匹配,可直接替换并增强其性能。PowerCap模块封装的DS1230W器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
关键特性
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