DS1225AB及DS1225AD为65,536位、全静态非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。NV SRAM可以用来直接替代现有的8k x 8 SRAM，符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。这些器件还与2764 EPROM及2864 EEPROM的引脚排列匹配，可直接替换并增强其性能。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

• MAX3393E - ±15kV ESD保护、1µA、16Mbps、双/四路、低电压电平转换器，UCSP封装
• MAX4631 - 故障保护、高电压、双路模拟开关
• MAX1305 - 8/4/2通道、12位、同时采样ADC，提供±10V、±5V或0至+5V模拟输入范围
• MAX1471 - 315MHz/434MHz低功耗、3V/5V ASK/FSK超外差接收器
• MAX204 - +5V、RS-232收发器，0.1µF外部电容
• MAX4729 - 低电压、3.5Ω、SPDT、CMOS模拟开关
• MAX16806 - EEPROM可编程、高压、350mA LED驱动器，提供折返式LED电流调节
• MAX71316S - ZON P5S/P5SL and M5S/M5SL Poly and Single-Phase Energy Meter SoCs
• MAX14934 - 四通道、5kVRMS数字隔离器
• MAX3421E - USB外设/主机控制器，SPI接口